س: لماذا نهتم ببضع مئات من المللي أوم (mΩ) في ملف CT؟
A: لأن المقاومة الداخلية هي جزء من العبء الكلي. إنه يحد من مقدار الجهد الذي يمكن أن ينتجه التصوير المقطعي قبل أن يتشبع.
المنطق:
• يجب أن ينتج CT الجهد: Es=Is × (Rct + Rburden).
• ارتفاع Rct (اتصال فضفاض/تلف) ← CT يعمل بجهد أكبر ← يتشبع مبكرًا.
• النتيجة: فشل مرحل الحماية في رؤية تيار الخلل بشكل صحيح.
كيفية قياس مقاومة اللف الثانوية للأشعة المقطعية.
يُعد محلل HYCT-100 CT الخاص بنا منتجًا جديدًا تم إنشاؤه بعد اعتماد نصائح العملاء على نطاق واسع والدراسة النظرية العميقة. إنه يعتمد على جهاز اختبار المحولات العام الأوتوماتيكي من سلسلة FA، والذي يتم إنتاجه من قبل شركتنا ويحظى بالاستحسان والتطبيق على نطاق واسع. اعتماد DSP عالي الأداء و
ARM، تكنولوجيا التصنيع المتقدمة تضمن أداء منتج مستقر وموثوق. كاملة-متميزة، ودرجة عالية من التشغيل الآلي، والكفاءة العالية، على المستوى الرائد المحلي، فهي معدات اختبار احترافية لفحص المحولات في صناعة الطاقة.
نطاق اختبار مقاومة اللف الثانوي 0 ~ 300Ω. الدقة: 0.2%±2mΩ